SQJB70EP - аналоги и даташиты транзистора

 

 

SQJB70EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SQJB70EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJB70EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

SQJB70EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  vishay
 sqjb70ep.pdf pdf_icon

SQJB70EP

SQJB70EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualifiedD1 100 % Rg and UIS tested Material categorization: D2for definitions of compliance please see 1S1 www.vishay.com/doc?999122G13S241 G21D1D2Top View Bottom ViewPRODUCT SUMMA

Другие MOSFET... SQJA88EP , SQJA94EP , SQJA96EP , SQJB00EP , SQJB40EP , SQJB42EP , SQJB60EP , SQJB68EP , IRF740 , SQJB80EP , SQJB90EP , SQM50028EM , SQM90142E , SQP90142E , SQS401ENW , SQS481ENW , SQS482ENW .

History: RU40120S | PJD3NA80 | SQJB60EP

 

 
Back to Top

 


 
.