SQJB70EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJB70EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJB70EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJB70EP даташит

 ..1. Size:282K  vishay
 sqjb70ep.pdf pdf_icon

SQJB70EP

SQJB70EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 1 G2 1 D1 D2 Top View Bottom View PRODUCT SUMMA

Другие IGBT... SQJA88EP, SQJA94EP, SQJA96EP, SQJB00EP, SQJB40EP, SQJB42EP, SQJB60EP, SQJB68EP, IRF740, SQJB80EP, SQJB90EP, SQM50028EM, SQM90142E, SQP90142E, SQS401ENW, SQS481ENW, SQS482ENW