11NM70G-TM3-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 11NM70G-TM3-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 62 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.58 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для 11NM70G-TM3-T
11NM70G-TM3-T Datasheet (PDF)
11nm70l-ta3-t 11nm70g-ta3-t 11nm70l-tf3-t 11nm70g-tf3-t 11nm70l-tf1-t 11nm70g-tf1-t 11nm70l-tm3-t 11nm70g-tm3-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM70 Power MOSFET 11A, 700V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 11NM70 is a Super Junction MOSFET Structureand is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC conver
11nm70l-tms2-t 11nm70g-tms2-t 11nm70l-tn3-r 11nm70g-tn3-r 11nm70l-t2q-t 11nm70g-t2q-t 11nm70l-t2s-t 11nm70g-t2s-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM70 Power MOSFET 11A, 700V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 11NM70 is a Super Junction MOSFET Structureand is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC conver
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: DMJ70H1D3SH3