1N65G-AA3-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 1N65G-AA3-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для 1N65G-AA3-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1N65G-AA3-R даташит

 ..1. Size:328K  utc
 1n65l-aa3-r 1n65g-aa3-r 1n65l-ta3-t 1n65g-ta3-t 1n65l-tf3-t 1n65g-tf3-t 1n65l-tm3-t 1n65g-tm3-t 1n65l-tma-t 1n65g-tma-t.pdf pdf_icon

1N65G-AA3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 SOT-223 TO-92 DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is 1 1 designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-220 TO-220F avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used i

 8.1. Size:328K  utc
 1n65l-tn3-r 1n65g-tn3-r 1n65l-t60-k 1n65g-t60-k 1n65l-t92-b 1n65g-t92-b 1n65l-t92-k 1n65g-t92-k 1n65l-k08-5060-r 1n65g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

1N65G-AA3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 SOT-223 TO-92 DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is 1 1 designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-220 TO-220F avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used i

 9.1. Size:493K  chongqing pingwei
 11n65gs.pdf pdf_icon

1N65G-AA3-R

11N65GS 11 Amps,650 Volts N-Channel Super Junction Power MOSFET FEATURE 11A,650V,R =0.40 @V =10V/5.5A DS(ON)MAX GS Low gate charge Low C iss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability TO-252(DPAK) Absolute Maximum Ratings(T =25 ,unless otherwise noted) C Parameter Symbol UNIT 11N65GS Drain-Source Voltage V 650 DSS V Gate-Source V

Другие IGBT... 1N60G-TMS-T, 1N60L-TMS2-T, 1N60G-TMS2-T, 1N60L-TMS4-T, 1N60G-TMS4-T, 1N60L-TND-R, 1N60G-TND-R, 1N65L-AA3-R, EMB04N03H, 1N65L-TA3-T, 1N65G-TA3-T, 1N65L-TF3-T, 1N65G-TF3-T, 1N65L-TM3-T, 1N65G-TM3-T, 1N65L-TMA-T, 1N65G-TMA-T