1N65G-TN3-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 1N65G-TN3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 12.5 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для 1N65G-TN3-R
1N65G-TN3-R Datasheet (PDF)
1n65l-tn3-r 1n65g-tn3-r 1n65l-t60-k 1n65g-t60-k 1n65l-t92-b 1n65g-t92-b 1n65l-t92-k 1n65g-t92-k 1n65l-k08-5060-r 1n65g-k08-5060-r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 11SOT-223 TO-92 DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is 11designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-220TO-220Favalanche characteristics. This power MOSFET is usually used i
1n65l-aa3-r 1n65g-aa3-r 1n65l-ta3-t 1n65g-ta3-t 1n65l-tf3-t 1n65g-tf3-t 1n65l-tm3-t 1n65g-tm3-t 1n65l-tma-t 1n65g-tma-t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 11SOT-223 TO-92 DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is 11designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-220TO-220Favalanche characteristics. This power MOSFET is usually used i
11n65gs.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
11N65GS11 Amps,650 Volts N-Channel Super Junction Power MOSFETFEATURE 11A,650V,R =0.40@V =10V/5.5ADS(ON)MAX GS Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityTO-252(DPAK)Absolute Maximum Ratings(T =25,unless otherwise noted)CParameter Symbol UNIT11N65GSDrain-Source Voltage V 650DSSVGate-Source V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![1N65G-TN3-R](https://alltransistors.com/images/us.png)
![1N65G-TN3-R](https://alltransistors.com/images/es.png)
![1N65G-TN3-R](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C