Справочник MOSFET. 1N65G-TN3-R

 

1N65G-TN3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 1N65G-TN3-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для 1N65G-TN3-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1N65G-TN3-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  utc
 1n65l-tn3-r 1n65g-tn3-r 1n65l-t60-k 1n65g-t60-k 1n65l-t92-b 1n65g-t92-b 1n65l-t92-k 1n65g-t92-k 1n65l-k08-5060-r 1n65g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

1N65G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 11SOT-223 TO-92 DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is 11designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-220TO-220Favalanche characteristics. This power MOSFET is usually used i

 7.1. Size:328K  utc
 1n65l-aa3-r 1n65g-aa3-r 1n65l-ta3-t 1n65g-ta3-t 1n65l-tf3-t 1n65g-tf3-t 1n65l-tm3-t 1n65g-tm3-t 1n65l-tma-t 1n65g-tma-t.pdf pdf_icon

1N65G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N65 Power MOSFET 1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 11SOT-223 TO-92 DESCRIPTION The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is 11designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-220TO-220Favalanche characteristics. This power MOSFET is usually used i

 9.1. Size:493K  chongqing pingwei
 11n65gs.pdf pdf_icon

1N65G-TN3-R

11N65GS11 Amps,650 Volts N-Channel Super Junction Power MOSFETFEATURE 11A,650V,R =0.40@V =10V/5.5ADS(ON)MAX GS Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityTO-252(DPAK)Absolute Maximum Ratings(T =25,unless otherwise noted)CParameter Symbol UNIT11N65GSDrain-Source Voltage V 650DSSVGate-Source V

Другие MOSFET... 1N65G-TA3-T , 1N65L-TF3-T , 1N65G-TF3-T , 1N65L-TM3-T , 1N65G-TM3-T , 1N65L-TMA-T , 1N65G-TMA-T , 1N65L-TN3-R , IRF3205 , 1N65L-T60-K , 1N65G-T60-K , 1N65L-T92-B , 1N65G-T92-B , 1N65L-T92-K , 1N65G-T92-K , 1N65L-K08-5060-R , 1N65G-K08-5060-R .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.