2N80L-TND-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N80L-TND-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
Тип корпуса: TO252D
Аналог (замена) для 2N80L-TND-R
2N80L-TND-R Datasheet (PDF)
2n80l-tm3-r 2n80g-tm3-r 2n80l-tn3-r 2n80g-tn3-r 2n80l-tnd-r 2n80g-tnd-r 2n80g-tf3-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N80 Power MOSFET 2.4A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N80 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Italso can withstand high energy pu
12n80l-ta3-t 12n80g-ta3-t 12n80l-tf1-t 12n80g-tf1-t 12n80l-tf3-t 12n80g-tf3-t 12n80l-t3p-t 12n80g-t3p-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N80-FC Power MOSFET 12A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 11 DESCRIPTION TO-220 TO-220FThe UTC 12N80-FC provide excellent R , low gate charge DS(ON)and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 1 1 FEATURES * R 0.78 @ V =10V, I =6.0A DS(ON) GS DTO-220F1 TO-3P
12n80l-t47-t 12n80g-t47-t 12n80l-t3p-t 12n80g-t3p-t 12n80l-tc3-t 12n80g-tc3-t 12n80l-tf2-t 12n80g-tf2-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N80 Power MOSFET 12A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 12N80 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide customerswith planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withsta
2n80l-ta3-t 2n80g-ta3-t 2n80l-tf1-t 2n80g-tf1-t 2n80l-tf2-t 2n80g-tf2-t 2n80l-tf3-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N80 Power MOSFET 2.4A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N80 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Italso can withstand high energy pu
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918