2P50L-TN3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2P50L-TN3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2P50L-TN3-R Datasheet (PDF)
2p50l-aa3-r 2p50g-aa3-r 2p50l-tn3-r 2p50g-tn3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2P50 POWER MOSFET -2A, -500V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252The UTC 2P50 is a P-channel MOS Field Effect Transistor. it uses UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. The UTC 2P50 is suitable for high voltage switching applications. 1 FEATURES SOT-
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: P3055LDG
History: P3055LDG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent