Справочник MOSFET. 3N70L-TN3-R

 

3N70L-TN3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N70L-TN3-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для 3N70L-TN3-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N70L-TN3-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  utc
 3n70l-tf3-t 3n70g-tf3-t 3n70l-tm3-t 3n70g-tm3-t 3n70l-tn3-t 3n70g-tn3-t 3n70l-tn3-r 3n70g-tn3-r.pdf pdf_icon

3N70L-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N70 Power MOSFET 3A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N70 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching app

Другие MOSFET... 30N06G-TN3-R , 30N06G-TF3-T , 3N70L-TF3-T , 3N70G-TF3-T , 3N70L-TM3-T , 3N70G-TM3-T , 3N70L-TN3-T , 3N70G-TN3-T , IRF9640 , 3N70G-TN3-R , 3N80L-TA3-T , 3N80G-TA3-T , 3N80L-TF3-T , 3N80G-TF3-T , 3N80L-TF1-T , 3N80G-TF1-T , 3N80L-TF2-T .

History: RJK6018DPK | TPC8301 | RJK5026DPE | DMG6301UDW | IRF6619

 

 
Back to Top

 


 
.