Справочник MOSFET. 3N80L-TMS4-R

 

3N80L-TMS4-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N80L-TMS4-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251S
 

 Аналог (замена) для 3N80L-TMS4-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N80L-TMS4-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  utc
 3n80l-ta3-t 3n80g-ta3-t 3n80l-tf3-t 3n80g-tf3-t 3n80l-tf1-t 3n80g-tf1-t 3n80l-tf2-t 3n80g-tf2-t 3n80l-tm3-t 3n80g-tm3-t 3n80l-tms4-r 3n80g-tms4-r 3n80l-tn3-r 3n80g-tn3-r.pdf pdf_icon

3N80L-TMS4-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N80 Power MOSFET 3.0 Amps, 800Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 3N80 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... 3N80L-TF3-T , 3N80G-TF3-T , 3N80L-TF1-T , 3N80G-TF1-T , 3N80L-TF2-T , 3N80G-TF2-T , 3N80L-TM3-T , 3N80G-TM3-T , IRF740 , 3N80G-TMS4-R , 3N80L-TN3-R , 3N80G-TN3-R , 40N15L-TA3-T , 40N15G-TA3-T , 40N15L-TF1-T , 40N15G-TF1-T , 40N15L-TF2-T .

 

 
Back to Top

 


 
.