Справочник MOSFET. STS6604L

 

STS6604L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS6604L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для STS6604L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6604L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  samhop
 sts6604l.pdf pdf_icon

STS6604L

GreenProductSTS6604LaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max VDSS ID RDS(ON) (m) Max60 @ VGS=4.5V 138 @ VGS=-4.5V20 4A -20V -2.5A75 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S22 5 S134G

 8.1. Size:183K  samhop
 sts6601.pdf pdf_icon

STS6604L

GreenProductSTS6601aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.110 @ VGS=-10VSOT-26 package.-60V -3.2A160 @ VGS=-4.5VDS OT26Top ViewDD61GD 2 5 D3 4G SS(TA=25C unless otherwise noted

Другие MOSFET... FDD8796 , FDD8870 , STT01L07 , FDD8870F085 , STS8816 , FDD8874 , STS6N20 , FDD8876 , 18N50 , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , STS6308 .

History: FQPF9N15 | BUK7Y12-100E

 

 
Back to Top

 


 
.