STS6604L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS6604L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS6604L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6604L даташит

 ..1. Size:239K  samhop
 sts6604l.pdf pdf_icon

STS6604L

Green Product STS6604L a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (m ) Max VDSS ID RDS(ON) (m ) Max 60 @ VGS=4.5V 138 @ VGS=-4.5V 20 4A -20V -2.5A 75 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5V D1 D2 SOT 26 Top View G1 D1 6 1 G 1 G 2 S2 2 5 S1 3 4 G

 8.1. Size:183K  samhop
 sts6601.pdf pdf_icon

STS6604L

Green Product STS6601 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 110 @ VGS=-10V SOT-26 package. -60V -3.2A 160 @ VGS=-4.5V D S OT26 Top View D D 6 1 G D 2 5 D 3 4 G S S (TA=25 C unless otherwise noted

Другие IGBT... FDD8796, FDD8870, STT01L07, FDD8870F085, STS8816, FDD8874, STS6N20, FDD8876, CS150N04A8, FDD8878, STS6601, FDD8880, STS6415, FDD8882, STS6409, FDD8896, STS6308