Справочник MOSFET. STS6409

 

STS6409 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS6409
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.8 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26

 Аналог (замена) для STS6409

 

 

STS6409 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  samhop
 sts6409.pdf

STS6409 STS6409

rerrPPrPrProSTS6409aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.49 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.50 @ VGS=-4.0VESD Protected.52 @ VGS=-3.7V-20V -4.0A58 @ VGS=-3.1V65 @ VGS=-2.5VDSOT 26T

 9.1. Size:105K  samhop
 sts6415.pdf

STS6409 STS6409

GrerrPPrPrProSTS6415aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.105 @ VGS=-4.0VESD Protected.-20V -2.8A 110 @ VGS=-3.7V121 @ VGS=-3.1V138 @ VGS=-2.5VDSOT

Другие MOSFET... STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , P0903BDG , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ .

 

 
Back to Top