STS6409 - описание и поиск аналогов

 

STS6409. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS6409

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm

Тип корпуса: TSOT26

Аналог (замена) для STS6409

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6409 даташит

 ..1. Size:106K  samhop
 sts6409.pdf pdf_icon

STS6409

re r r P Pr Pr Pro STS6409 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 49 @ VGS=-4.5V Suface Mount Package. 50 @ VGS=-4.0V ESD Protected. 52 @ VGS=-3.7V -20V -4.0A 58 @ VGS=-3.1V 65 @ VGS=-2.5V D SOT 26 T

 9.1. Size:105K  samhop
 sts6415.pdf pdf_icon

STS6409

Gre r r P Pr Pr Pro STS6415 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 100 @ VGS=-4.5V Suface Mount Package. 105 @ VGS=-4.0V ESD Protected. -20V -2.8A 110 @ VGS=-3.7V 121 @ VGS=-3.1V 138 @ VGS=-2.5V D SOT

Другие MOSFET... STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , 5N60 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.