Справочник MOSFET. STS6409

 

STS6409 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS6409
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6409 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  samhop
 sts6409.pdf pdf_icon

STS6409

rerrPPrPrProSTS6409aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.49 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.50 @ VGS=-4.0VESD Protected.52 @ VGS=-3.7V-20V -4.0A58 @ VGS=-3.1V65 @ VGS=-2.5VDSOT 26T

 9.1. Size:105K  samhop
 sts6415.pdf pdf_icon

STS6409

GrerrPPrPrProSTS6415aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.105 @ VGS=-4.0VESD Protected.-20V -2.8A 110 @ VGS=-3.7V121 @ VGS=-3.1V138 @ VGS=-2.5VDSOT

Другие MOSFET... STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , 2N60 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ .

History: STS8217 | FQB2P25TM | HY1710B | FQB33N10TM | STP9NK60ZD | HY3810PS | STS6415

 

 
Back to Top

 


 
.