STS6409 - аналоги и даташиты транзистора

 

STS6409 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STS6409
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для STS6409

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS6409 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  samhop
 sts6409.pdf pdf_icon

STS6409

rerrPPrPrProSTS6409aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.49 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.50 @ VGS=-4.0VESD Protected.52 @ VGS=-3.7V-20V -4.0A58 @ VGS=-3.1V65 @ VGS=-2.5VDSOT 26T

 9.1. Size:105K  samhop
 sts6415.pdf pdf_icon

STS6409

GrerrPPrPrProSTS6415aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.105 @ VGS=-4.0VESD Protected.-20V -2.8A 110 @ VGS=-3.7V121 @ VGS=-3.1V138 @ VGS=-2.5VDSOT

Другие MOSFET... STS6N20 , FDD8876 , STS6604L , FDD8878 , STS6601 , FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , 13N50 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ .

History: BSS110 | FDD8882 | IRLU024N | STS6415 | FDD8880

 

 
Back to Top

 


 
.