4N70G-TN3-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 4N70G-TN3-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 4N70G-TN3-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4N70G-TN3-R даташит

 ..1. Size:269K  utc
 4n70l-ta3-t 4n70g-ta3-t 4n70l-tf1-t 4n70g-tf1-t 4n70l-tf3-t 4n70g-tf3-t 4n70l-tm3-t 4n70g-tm3-t 4n70l-tn3-r 4n70g-tn3-r 4n70l-t2q-t 4n70g-t2q-t.pdf pdf_icon

4N70G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N70 Power MOSFET 4.4A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 4N70 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching 1 1 time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-252 avalanche. This high speed switching power MOSFET is usually TO-220

Другие IGBT... 4N70G-TA3-T, 4N70L-TF1-T, 4N70G-TF1-T, 4N70L-TF3-T, 4N70G-TF3-T, 4N70L-TM3-T, 4N70G-TM3-T, 4N70L-TN3-R, CS150N03A8, 4N70L-T2Q-T, 4N70G-T2Q-T, 4N80L-TA3-T, 4N80G-TA3-T, 4N80L-TF1-T, 4N80G-TF1-T, 4N80L-TF2-T, 4N80G-TF2-T