4N70G-TN3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 4N70G-TN3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для 4N70G-TN3-R
4N70G-TN3-R Datasheet (PDF)
4n70l-ta3-t 4n70g-ta3-t 4n70l-tf1-t 4n70g-tf1-t 4n70l-tf3-t 4n70g-tf3-t 4n70l-tm3-t 4n70g-tm3-t 4n70l-tn3-r 4n70g-tn3-r 4n70l-t2q-t 4n70g-t2q-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N70 Power MOSFET 4.4A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 4N70 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching 11time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-252avalanche. This high speed switching power MOSFET is usually TO-220
Другие MOSFET... 4N70G-TA3-T , 4N70L-TF1-T , 4N70G-TF1-T , 4N70L-TF3-T , 4N70G-TF3-T , 4N70L-TM3-T , 4N70G-TM3-T , 4N70L-TN3-R , IRLB4132 , 4N70L-T2Q-T , 4N70G-T2Q-T , 4N80L-TA3-T , 4N80G-TA3-T , 4N80L-TF1-T , 4N80G-TF1-T , 4N80L-TF2-T , 4N80G-TF2-T .
History: 15N65L-TA3-T | 2SK4065-DL-1E | ZVN0106A | 1N60G-T60-K
History: 15N65L-TA3-T | 2SK4065-DL-1E | ZVN0106A | 1N60G-T60-K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058