Справочник MOSFET. 4N70L-T2Q-T

 

4N70L-T2Q-T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 4N70L-T2Q-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

4N70L-T2Q-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  utc
 4n70l-ta3-t 4n70g-ta3-t 4n70l-tf1-t 4n70g-tf1-t 4n70l-tf3-t 4n70g-tf3-t 4n70l-tm3-t 4n70g-tm3-t 4n70l-tn3-r 4n70g-tn3-r 4n70l-t2q-t 4n70g-t2q-t.pdf pdf_icon

4N70L-T2Q-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N70 Power MOSFET 4.4A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1TO-220 TO-220F DESCRIPTION The UTC 4N70 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching 11time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged TO-252avalanche. This high speed switching power MOSFET is usually TO-220

 9.1. Size:1046K  samwin
 swf4n70l swn4n70l swd4n70l.pdf pdf_icon

4N70L-T2Q-T

SW4N70L N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS : 700V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 1 3 3 Application: LED,Charge, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.