4N90L-TA3-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 4N90L-TA3-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
Время нарастания (tr): 188 ns
Выходная емкость (Cd): 49 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для 4N90L-TA3-T
4N90L-TA3-T Datasheet (PDF)
4n90l-ta3-t 4n90g-ta3-t 4n90l-tf3-t 4n90g-tf3-t 4n90l-tf1-t 4n90g-tf1-t 4n90l-tf2-t 4n90g-tf2-t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N90 Power MOSFET 4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N90 is a N-channel enhancement MOSFETadopting UTCs advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance andperfect switching performance. It also ca
4n90l-tf3t-t 4n90g-tf3t-t 4n90l-tm3-t 4n90g-tm3-t 4n90l-tn3-r 4n90g-tn3-r 4n90l-t3n-t 4n90g-t3n-t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N90 Power MOSFET 4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N90 is a N-channel enhancement MOSFETadopting UTCs advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance andperfect switching performance. It also ca
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .