4N90L-TN3-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 4N90L-TN3-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 188 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 4N90L-TN3-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4N90L-TN3-R даташит

 ..1. Size:228K  utc
 4n90l-tf3t-t 4n90g-tf3t-t 4n90l-tm3-t 4n90g-tm3-t 4n90l-tn3-r 4n90g-tn3-r 4n90l-t3n-t 4n90g-t3n-t.pdf pdf_icon

4N90L-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N90 Power MOSFET 4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N90 is a N-channel enhancement MOSFET adopting UTC s advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance and perfect switching performance. It also ca

 7.1. Size:228K  utc
 4n90l-ta3-t 4n90g-ta3-t 4n90l-tf3-t 4n90g-tf3-t 4n90l-tf1-t 4n90g-tf1-t 4n90l-tf2-t 4n90g-tf2-t.pdf pdf_icon

4N90L-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N90 Power MOSFET 4 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N90 is a N-channel enhancement MOSFET adopting UTC s advanced technology to provide customers with DMOS, planar stripe technology. This technology is designed to meet the requirements of the minimum on-state resistance and perfect switching performance. It also ca

Другие IGBT... 4N90L-TF1-T, 4N90G-TF1-T, 4N90L-TF2-T, 4N90G-TF2-T, 4N90L-TF3T-T, 4N90G-TF3T-T, 4N90L-TM3-T, 4N90G-TM3-T, IRLB3034, 4N90G-TN3-R, 4N90L-T3N-T, 4N90G-T3N-T, 50N06L-TA3-T, 50N06G-TA3-T, 50N06L-TF3-T, 50N06G-TF3-T, 50N06L-TF3T-T