60N06L-TA3-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 60N06L-TA3-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 60N06L-TA3-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

60N06L-TA3-T даташит

 ..1. Size:310K  utc
 60n06l-ta3-t 60n06g-ta3-t 60n06l-tf3-t 60n06g-tf3-t 60n06l-tq2-r 60n06g-tq2-r 60n06l-tq2-t 60n06g-tq2-t.pdf pdf_icon

60N06L-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 60N06 Power MOSFET 60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 60N06 is N-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics, fast switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom and computer application. FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Ultra low gate charge (

 8.1. Size:58K  philips
 php60n06lt 2.pdf pdf_icon

60N06L-TA3-T

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 8.2. Size:70K  philips
 php60n06lt phb60n06lt.pdf pdf_icon

60N06L-TA3-T

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 8.3. Size:88K  onsemi
 ntb60n06l ntp60n06l ntp60n06l ntb60n06l.pdf pdf_icon

60N06L-TA3-T

NTP60N06L, NTB60N06L Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N-Channel TO-220 and D2PAK http //onsemi.com Designed for low voltage, high speed switching applications in 60 AMPERES, 60 VOLTS power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. RDS(on) = 16 mW Features N-Channel Pb-Free Packages are Available D Typical Applications Power Supplies C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 5N65L-TF2-T, 5N65L-TM3-T, 5N65G-TM3-T, 5N65L-TN3-R, 5N65G-TN3-R, 5N65G-TF2-T, 5N65L-TF3T-T, 5N65G-TF3T-T, 5N60, 60N06G-TA3-T, 60N06L-TF3-T, 60N06G-TF3-T, 60N06L-TQ2-R, 60N06G-TQ2-R, 60N06L-TQ2-T, 60N06G-TQ2-T, 6N60KL-TA3-T