60N06G-TA3-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 60N06G-TA3-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для 60N06G-TA3-T
60N06G-TA3-T Datasheet (PDF)
60n06l-ta3-t 60n06g-ta3-t 60n06l-tf3-t 60n06g-tf3-t 60n06l-tq2-r 60n06g-tq2-r 60n06l-tq2-t 60n06g-tq2-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 60N06 Power MOSFET 60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 60N06 is N-channel enhancement mode power field effect transistors with stable off-state characteristics, fast switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom and computer application. FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Ultra low gate charge (
ntb60n06g ntp60n06 ntp60n06 ntb60n06.pdf
NTP60N06, NTB60N06Power MOSFET60 V, 60 A, N-ChannelTO-220 and D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.60 VOLTS, 60 AMPERESFeaturesRDS(on) = 14 mW Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelDTypical Applications Power Supplies Converters Pow
cep60n06g ceb60n06g.pdf
CEP60N06G/CEB60N06GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 60A, RDS(ON) = 16m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
ntb60n06g.pdf
NTB60N06Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sourc
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD