6N80G-T2Q-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 6N80G-T2Q-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для 6N80G-T2Q-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

6N80G-T2Q-T даташит

 ..1. Size:192K  utc
 6n80l-ta3-t 6n80g-ta3-t 6n80l-tf3-t 6n80g-tf3-t 6n80l-tf1-t 6n80g-tf1-t 6n80l-t2q-t 6n80g-t2q-t.pdf pdf_icon

6N80G-T2Q-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 6N80 Power MOSFET 6.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-220 DESCRIPTION The UTC 6N80 is a N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe 1 TO-220F and DMOS technology. This technology specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can

 9.1. Size:478K  silikron
 ssf6n80g.pdf pdf_icon

6N80G-T2Q-T

SSF6N80G Main Product Characteristics VDSS 800V RDS(on) 2.35 (typ.) ID 5.5A Marking and p in TO-251 (IPAK) Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

Другие IGBT... 6N70KG-TND-R, 6N80L-TA3-T, 6N80G-TA3-T, 6N80L-TF3-T, 6N80G-TF3-T, 6N80L-TF1-T, 6N80G-TF1-T, 6N80L-T2Q-T, 4435, 75N75L-TA3-T, 75N75G-TA3-T, 75N75L-TF1-T, 75N75G-TF1-T, 75N75L-TF2-T, 75N75G-TF2-T, 75N75L-TF3-T, 75N75G-TF3-T