7NM65G-TM3-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 7NM65G-TM3-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 238 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для 7NM65G-TM3-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7NM65G-TM3-T даташит

 ..1. Size:223K  utc
 7nm65g-tm3-t 7nm65l-tms2-t 7nm65g-tms2-t 7nm65l-tn3-r 7nm65g-tn3-r 7nm65l-t2q-t 7nm65g-t2q-t.pdf pdf_icon

7NM65G-TM3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7NM65 Power MOSFET 7.0A, 650V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 7NM65 is a Super Junction MOSFET Structure. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. The UTC 7NM65 is universally applied in electronic lamp ballasts based on half bri

 6.1. Size:223K  utc
 7nm65l-ta3-t 7nm65g-ta3-t 7nm65l-tf3-t 7nm65g-tf3-t 7nm65l-tf1-t 7nm65g-tf1-t 7nm65l-tm3-t.pdf pdf_icon

7NM65G-TM3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7NM65 Power MOSFET 7.0A, 650V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 7NM65 is a Super Junction MOSFET Structure. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. The UTC 7NM65 is universally applied in electronic lamp ballasts based on half bri

Другие IGBT... 7N65G-TN3-R, 7N65G-TM3-T, 7N70L-TF1-T, 7N70G-TF1-T, 7N80L-TF2-T, 7N80G-TF2-T, 7N80L-TF3T-T, 7N80G-TF3T-T, IRFB4110, 7NM65L-TMS2-T, 7NM65G-TMS2-T, 7NM65L-TN3-R, 7NM65G-TN3-R, 7NM65L-T2Q-T, 7NM65G-T2Q-T, 7NM65L-TA3-T, 7NM65G-TA3-T