7NM65L-TM3-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 7NM65L-TM3-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Время нарастания (tr): 95 ns
Выходная емкость (Cd): 238 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для 7NM65L-TM3-T
7NM65L-TM3-T Datasheet (PDF)
7nm65l-ta3-t 7nm65g-ta3-t 7nm65l-tf3-t 7nm65g-tf3-t 7nm65l-tf1-t 7nm65g-tf1-t 7nm65l-tm3-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7NM65 Power MOSFET 7.0A, 650V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 7NM65 is a Super Junction MOSFET Structure. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. The UTC 7NM65 is universally applied in electronic lamp ballasts based on half bri
7nm65g-tm3-t 7nm65l-tms2-t 7nm65g-tms2-t 7nm65l-tn3-r 7nm65g-tn3-r 7nm65l-t2q-t 7nm65g-t2q-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7NM65 Power MOSFET 7.0A, 650V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 7NM65 is a Super Junction MOSFET Structure. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. The UTC 7NM65 is universally applied in electronic lamp ballasts based on half bri
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
