Справочник MOSFET. STS3429

 

STS3429 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS3429
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для STS3429

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3429 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  samhop
sts3429.pdfpdf_icon

STS3429

GreenProductSTS3429aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.85 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -3.2A105 @ VGS=-4.5VDSOT-23DGSGS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.1. Size:121K  samhop
sts3426.pdfpdf_icon

STS3429

GreenProductSTS3426aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.31 @ VGS= 10VSuface Mount Package.30V 4.2A 40 @ VGS= 4.5V52 @ VGS= 2.5V SOT 26 DTop ViewD 1 6 DGD 2 5 DG 3 4 SSABSOLUTE MAXIMUM RA

 8.2. Size:107K  samhop
sts3420.pdfpdf_icon

STS3429

GreenProductSTS3420aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.33 @ VGS= 10VSuface Mount Package.30V 4.5A 40 @ VGS= 4.5V 53 @ VGS= 2.5V DSOT23DGSGS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless o

 9.1. Size:168K  samhop
sts3414.pdfpdf_icon

STS3429

GreenProductSTS3414aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10V30V 4A 60 @ VGS=4.5V SOT-23 package.75 @ VGS=2.5VDS OT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

Другие MOSFET... STS400 , FDG6332C , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 , FDG6335N , FDG8842CZ , STS3620 , 5N50 , STS3426 , FDG8850NZ , FDH038AN08A1 , FDH047AN08A0 , FDH055N15A , FDH3632 , STS3411A , FDH44N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.