8N80L-TA3-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 8N80L-TA3-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 8N80L-TA3-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8N80L-TA3-T даташит

 ..1. Size:253K  utc
 8n80l-ta3-t 8n80g-ta3-t 8n80l-tf3-t 8n80g-tf3-t 8n80l-tf1-t 8n80g-tf1-t 8n80l-tf2-t 8n80g-tf2-t.pdf pdf_icon

8N80L-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N80 Power MOSFET 8A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 8N80 is an N-channel mode power MOSFET, it uses UTC s advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche a

Другие IGBT... 8N65KL-TF3T-T, 8N65KG-TF3T-T, 8N65KL-TM3-T, 8N65KG-TM3-T, 8N65KL-TMS-T, 8N65KG-TMS-T, 8N65KL-TN3-R, 8N65KG-TN3-R, IRF1405, 8N80G-TA3-T, 8N80L-TF3-T, 8N80G-TF3-T, 8N80L-TF1-T, 8N80G-TF1-T, 8N80L-TF2-T, 8N80G-TF2-T, 9N90L-TC3-T