8N80G-TF2-T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 8N80G-TF2-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для 8N80G-TF2-T
8N80G-TF2-T Datasheet (PDF)
8n80l-ta3-t 8n80g-ta3-t 8n80l-tf3-t 8n80g-tf3-t 8n80l-tf1-t 8n80g-tf1-t 8n80l-tf2-t 8n80g-tf2-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N80 Power MOSFET 8A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 8N80 is an N-channel mode power MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche a
Другие MOSFET... 8N65KG-TN3-R , 8N80L-TA3-T , 8N80G-TA3-T , 8N80L-TF3-T , 8N80G-TF3-T , 8N80L-TF1-T , 8N80G-TF1-T , 8N80L-TF2-T , IRFB7545 , 9N90L-TC3-T , 9N90G-TC3-T , 9N90L-TF1-T , 9N90G-TF1-T , 9N90L-TF2-T , 9N90G-TF2-T , 9N90L-T3P-T , 9N90G-T3P-T .
History: MMIS70H900QTH | IRFD9120PBF | GSM2317 | AP4224LGM-HF | OSG90R1K2AF | 8N80G-TF1-T | OSG90R1K2IF
History: MMIS70H900QTH | IRFD9120PBF | GSM2317 | AP4224LGM-HF | OSG90R1K2AF | 8N80G-TF1-T | OSG90R1K2IF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor


