9N90G-T3N-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 9N90G-T3N-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для 9N90G-T3N-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

9N90G-T3N-T даташит

 ..1. Size:296K  utc
 9n90l-tc3-t 9n90g-tc3-t 9n90l-tf1-t 9n90g-tf1-t 9n90l-tf2-t 9n90g-tf2-t 9n90l-t3p-t 9n90g-t3p-t 9n90l-t3n-t 9n90g-t3n-t 9n90l-t47-t 9n90g-t47-t.pdf pdf_icon

9N90G-T3N-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N90 Power MOSFET 9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N90 uses UTC s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 9.1. Size:628K  silicon standard
 ssm09n90gw.pdf pdf_icon

9N90G-T3N-T

SSM09N90GW N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM09N90GW acheives fast switching performance BVDSS 900V with low gate charge without a complex drive circuit. It is RDS(ON) 1.2 suitable for high voltage applications such as AC/DC converters and offline power supplies. I 8.6A D The SSM09N90GW is in a TO-247 (TO-3P) package, Pb-free; RoHS-compli

Другие IGBT... 9N90G-TC3-T, 9N90L-TF1-T, 9N90G-TF1-T, 9N90L-TF2-T, 9N90G-TF2-T, 9N90L-T3P-T, 9N90G-T3P-T, 9N90L-T3N-T, AO4468, 9N90L-T47-T, 9N90G-T47-T, UF07P15G-AE3-R, UF3205L-TA3-T, UF3205G-TA3-T, UF3205L-T3P-T, UF3205G-T3P-T, UF3205L-T47-T