Справочник MOSFET. UF630G-TF3-T

 

UF630G-TF3-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UF630G-TF3-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для UF630G-TF3-T

 

 

UF630G-TF3-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  utc
 uf630l-ta3-t uf630g-ta3-t uf630l-tf1-t uf630g-tf1-t uf630l-tf2-t uf630g-tf2-t uf630l-tf3-t uf630g-tf3-t.pdf

UF630G-TF3-T UF630G-TF3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power 1 1switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

 6.1. Size:424K  utc
 uf630l-tm3-t uf630g-tm3-t uf630l-tn3-r uf630g-tn3-r uf630l-t2q-t uf630g-t2q-t uf630g-s08-r.pdf

UF630G-TF3-T UF630G-TF3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power 1 1switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

 9.1. Size:395K  utc
 uf630.pdf

UF630G-TF3-T UF630G-TF3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching 1 1converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top