Справочник MOSFET. UF630G-S08-R

 

UF630G-S08-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UF630G-S08-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для UF630G-S08-R

 

 

UF630G-S08-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  utc
 uf630l-tm3-t uf630g-tm3-t uf630l-tn3-r uf630g-tn3-r uf630l-t2q-t uf630g-t2q-t uf630g-s08-r.pdf

UF630G-S08-R UF630G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power 1 1switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

 7.1. Size:424K  utc
 uf630l-ta3-t uf630g-ta3-t uf630l-tf1-t uf630g-tf1-t uf630l-tf2-t uf630g-tf2-t uf630l-tf3-t uf630g-tf3-t.pdf

UF630G-S08-R UF630G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power 1 1switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

 9.1. Size:395K  utc
 uf630.pdf

UF630G-S08-R UF630G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF630 Power MOSFET 200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET 11TO-220 TO-220F DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching 1 1converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-220F1TO-220F2 FEATURES

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top