UF640G-TN3-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UF640G-TN3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 89 nC
Время нарастания (tr): 58 ns
Выходная емкость (Cd): 240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для UF640G-TN3-R
UF640G-TN3-R Datasheet (PDF)
uf640l-tn3-r uf640g-tn3-r uf640l-t2q-t uf640g-t2q-t uf640l-t2q-r uf640g-t2q-r uf640l-tq2-t uf640g-tq2-t uf640l-tq2-r uf640g-tq2-r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF640 Power MOSFET 18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These kinds of n-channel power MOSFET field effect transistor have low conduction power loss, high input impedance, and high switching speed, Linear Transfer Characteristics, so can be use in a variety of power conversion applications. The UF640 suitable for resonant an
uf640g-aa3-r uf640l-ta3-t uf640g-ta3-t uf640l-tf1-t uf640g-tf1-t uf640l-tf2-t uf640g-tf2-t uf640l-tf3-t uf640g-tf3-t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF640 Power MOSFET 18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These kinds of n-channel power MOSFET field effect transistor have low conduction power loss, high input impedance, and high switching speed, Linear Transfer Characteristics, so can be use in a variety of power conversion applications. The UF640 suitable for resonant an
uf640.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF640 Power MOSFET 18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These kinds of n-channel power MOSFET field effect transistor have low conduction power loss, high input impedance, and high switching speed, Linear Transfer Characteristics, so can be use in a variety of power conversion applications. The UF640 suitable for resonant an
ceuf640 cedf640.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEDF640/CEUF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES200V, 15A, RDS(ON) = 0.15 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless oth
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .