FDH44N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDH44N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDH44N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH44N50 даташит

 ..1. Size:169K  fairchild semi
 fdh44n50.pdf pdf_icon

FDH44N50

August 2002 FDH44N50 44A, 500V, 0.12 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Applications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward Converter Ruggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converter

 ..2. Size:237K  inchange semiconductor
 fdh44n50.pdf pdf_icon

FDH44N50

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH44N50 FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V Gate

Другие IGBT... STS3429, STS3426, FDG8850NZ, FDH038AN08A1, FDH047AN08A0, FDH055N15A, FDH3632, STS3411A, IRF1404, FDH45N50FF133, FDH5500F085, FDI030N06, FDI038AN06A0, FDI040N06, FDI045N10AF102, STS3409L, FDI150N10