UF840KG-TQ2-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UF840KG-TQ2-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.87 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для UF840KG-TQ2-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF840KG-TQ2-R даташит

 ..1. Size:376K  utc
 uf840kl-ta3-r uf840kg-ta3-r uf840kl-tf3-r uf840kg-tf3-r uf840kl-tf1-t uf840kg-tf1-t uf840kl-tn3-r uf840kg-tn3-r uf840kl-tq2-t uf840kg-tq2-t uf840kl-tq2-r uf840kg-tq2-r.pdf pdf_icon

UF840KG-TQ2-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840K-MTQ Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)

 9.1. Size:426K  utc
 uf840.pdf pdf_icon

UF840KG-TQ2-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840 Power MOSFET 8A, 500V, 0.85 , N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)=0.85 * Single Pulse Ava

Другие IGBT... UF840KG-TF3-R, UF840KL-TF1-T, UF840KG-TF1-T, UF840KL-TN3-R, UF840KG-TN3-R, UF840KL-TQ2-T, UF840KG-TQ2-T, UF840KL-TQ2-R, IRF3205, UK3018G-AE2-R, UK3018G-AL3-R, UML2502L-AE3-R, UML2502G-AE3-R, UP9971L-D08-T, UP9971G-D08-T, UP9971G-S08-R, UT100N03L-TA3-T