UP9971L-D08-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UP9971L-D08-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: DIP8
Аналог (замена) для UP9971L-D08-T
UP9971L-D08-T Datasheet (PDF)
up9971l-d08-t up9971g-d08-t up9971g-s08-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9971 Power MOSFET 5A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UP9971 uses UTCs advanced technology toDIP-8provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for being used as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
up9971.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9971 Power MOSFET 5A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION DIP-8The UTC UP9971 uses UTCs advanced technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for being used as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100