UT2955G-TN3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UT2955G-TN3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для UT2955G-TN3-R
UT2955G-TN3-R Datasheet (PDF)
ut2955g-aa3-r ut2955l-tn3-r ut2955g-tn3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2955 Power MOSFET SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT2955 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch, in PWM applications, converters and power supplies. FEATURES * RDS(ON)
ut2955g.pdf

UT2955Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbo
ut2955.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2955 Power MOSFET SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UT2955 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch, in PWM applications, converters and power supplies. FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... UT2305G-AG3-R , UT2305L-AE2-R , UT2305L-AE3-R , UT2305L-AL3-R , UT2316G-AE2-R , UT2316G-AE3-R , UT2955G-AA3-R , UT2955L-TN3-R , AON7410 , UT3400L-AE2-R , UT3400G-AE2-R , UT3400L-AE3-R , UT3400G-AE3-R , UT3401G-AE3-R , UT3401ZL-AE3-R , UT3401ZG-AE3-R , UT3404G-AE3-R .
History: MRF166W | IPB039N10N3GE8187 | AM50P04-16PCFM | IXTH52P10P | HGP050N14S | OSG60R200FSZF | IRFP252R
History: MRF166W | IPB039N10N3GE8187 | AM50P04-16PCFM | IXTH52P10P | HGP050N14S | OSG60R200FSZF | IRFP252R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b