UT3N10G-AG6-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT3N10G-AG6-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для UT3N10G-AG6-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT3N10G-AG6-R даташит

 ..1. Size:385K  utc
 ut3n10l-ag6-r ut3n10g-ag6-r ut3n10l-tn3-r ut3n10g-tn3-r ut3n10l-k08-3030-r ut3n10g-k08-3030-r.pdf pdf_icon

UT3N10G-AG6-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3 MODE POWER MOSFET 2 1 1 SOT-23 TO-252 (EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 1 1 SOT-89 SOT-223 FE

 5.1. Size:385K  utc
 ut3n10l-aa3-r ut3n10g-aa3-r ut3n10l-ab3-r ut3n10g-ab3-r ut3n10l-ae3-r ut3n10g-ae3-r.pdf pdf_icon

UT3N10G-AG6-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3 MODE POWER MOSFET 2 1 1 SOT-23 TO-252 (EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 1 1 SOT-89 SOT-223 FE

Другие IGBT... UT3N06G-TN3-R, UT3N10L-AA3-R, UT3N10G-AA3-R, UT3N10L-AB3-R, UT3N10G-AB3-R, UT3N10L-AE3-R, UT3N10G-AE3-R, UT3N10L-AG6-R, 10N65, UT3N10L-TN3-R, UT3N10G-TN3-R, UT3N10L-K08-3030-R, UT3N10G-K08-3030-R, UT4404G-S08-R, UT4421G-S08-R, UT60N03L-TA3-T, UT60N03G-TA3-T