Справочник MOSFET. UT3N10G-K08-3030-R

 

UT3N10G-K08-3030-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT3N10G-K08-3030-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030-8

 Аналог (замена) для UT3N10G-K08-3030-R

 

 

UT3N10G-K08-3030-R Datasheet (PDF)

 0.1. Size:385K  utc
 ut3n10l-ag6-r ut3n10g-ag6-r ut3n10l-tn3-r ut3n10g-tn3-r ut3n10l-k08-3030-r ut3n10g-k08-3030-r.pdf

UT3N10G-K08-3030-R UT3N10G-K08-3030-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3MODE POWER MOSFET 21 1SOT-23TO-252(EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 11SOT-89SOT-223 FE

 6.1. Size:385K  utc
 ut3n10l-aa3-r ut3n10g-aa3-r ut3n10l-ab3-r ut3n10g-ab3-r ut3n10l-ae3-r ut3n10g-ae3-r.pdf

UT3N10G-K08-3030-R UT3N10G-K08-3030-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3MODE POWER MOSFET 21 1SOT-23TO-252(EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 11SOT-89SOT-223 FE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top