UT60N03G-TA3-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT60N03G-TA3-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для UT60N03G-TA3-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT60N03G-TA3-T даташит

 ..1. Size:247K  utc
 ut60n03l-ta3-t ut60n03g-ta3-t ut60n03l-tm3-t ut60n03g-tm3-t ut60n03l-tn3-r ut60n03g-tn3-r ut60n03l-tnd-r ut60n03g-tnd-r.pdf pdf_icon

UT60N03G-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1 1 DESCRIPTION TO-220 TO-251 This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switch

 7.1. Size:215K  utc
 ut60n03.pdf pdf_icon

UT60N03G-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1 TO-252 DESCRIPTION This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the 1 overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher TO-251 switchi

Другие IGBT... UT3N10G-AG6-R, UT3N10L-TN3-R, UT3N10G-TN3-R, UT3N10L-K08-3030-R, UT3N10G-K08-3030-R, UT4404G-S08-R, UT4421G-S08-R, UT60N03L-TA3-T, IRF2807, UT60N03L-TM3-T, UT60N03G-TM3-T, UT60N03L-TN3-R, UT60N03G-TN3-R, UT60N03L-TND-R, UT60N03G-TND-R, UT8205AL-AL6-R, UT8205AG-AG6-R