Справочник MOSFET. UT8205AG-AG6-R

 

UT8205AG-AG6-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT8205AG-AG6-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для UT8205AG-AG6-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT8205AG-AG6-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  utc
 ut8205al-al6-r ut8205ag-ag6-r ut8205al-s08-r ut8205ag-s08-r ut8205al-p08-r ut8205ag-p08-r.pdf pdf_icon

UT8205AG-AG6-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT8205A Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications. FEATURES * RDS(ON) 28m @ VGS=4.5V, ID=6.0A * Fast switching capability * Avalanch

 2.1. Size:1472K  cn vbsemi
 ut8205ag-ag6.pdf pdf_icon

UT8205AG-AG6-R

UT8205AG-AG6www.VBsemi.twDual N-Channel MOSFET FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 G2

 2.2. Size:405K  cn tech public
 ut8205ag-ag6.pdf pdf_icon

UT8205AG-AG6-R

www.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.tw

 7.1. Size:217K  utc
 ut8205a.pdf pdf_icon

UT8205AG-AG6-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT8205A Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications. FEATURES * RDS(ON) 28m @VGS = 4.5 V * Ultra low gate charge ( typical 23 nC ) * Low re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... UT60N03G-TA3-T , UT60N03L-TM3-T , UT60N03G-TM3-T , UT60N03L-TN3-R , UT60N03G-TN3-R , UT60N03L-TND-R , UT60N03G-TND-R , UT8205AL-AL6-R , IRF730 , UT8205AL-S08-R , UT8205AG-S08-R , UT8205AL-P08-R , UT8205AG-P08-R , UT9435HL-AA3-R , UT9435HG-AA3-R , UT9435HL-AE3-R , UT9435HG-AE3-R .

History: RXH090N03

 

 
Back to Top

 


 
.