2SK2520-01MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2520-01MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK2520-01MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2520-01MR даташит

 ..1. Size:162K  1
 2sk2520-01mr.pdf pdf_icon

2SK2520-01MR

N-channel MOS-FET 2SK2520-01MR FAP-II Series 200V 0,4 10A 30W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equi

 8.1. Size:237K  1
 2sk2524-01mr.pdf pdf_icon

2SK2520-01MR

 8.2. Size:162K  1
 2sk2522-01mr.pdf pdf_icon

2SK2520-01MR

N-channel MOS-FET 2SK2522-01MR FAP-II Series 200V 0,18 18A 40W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equ

 8.3. Size:253K  1
 2sk2525-01.pdf pdf_icon

2SK2520-01MR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2499, 2SK2510, 2SK2511, 2SK2512, 2SK2513, 2SK2514, 2SK2515, 2SK2519-01, IRF740, 2SK2521-01, 2SK2522-01MR, 2SK2523-01, 2SK2524-01MR, 2SK2525-01, 2SK2529, 2SK2541, 2SK2553