UTM6016L-TN3-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UTM6016L-TN3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
trⓘ - Время нарастания: 106 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для UTM6016L-TN3-R
UTM6016L-TN3-R Datasheet (PDF)
utm6016l-ta3-t utm6016g-ta3-t utm6016l-tn3-r utm6016g-tn3-r utm6016g-s08-r utm6016g-k08-5060-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM6016 Power MOSFET 8.0A, 60V N-CHANNEL FAST SWITCHING MOSFET 11TO-220 DESCRIPTION TO-252The UTC UTM6016 is an N-Channel MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC UTM6016 is suitable for application in networking 1DC-DC power s
utm6016g.pdf
UTM6016Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CC
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100