Справочник MOSFET. UTT18P10L-TA3-T

 

UTT18P10L-TA3-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UTT18P10L-TA3-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 61(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для UTT18P10L-TA3-T

 

 

UTT18P10L-TA3-T Datasheet (PDF)

 0.1. Size:288K  utc
 utt18p10l-tn3-r utt18p10g-tn3-r utt18p10l-ta3-t utt18p10g-ta3-t.pdf

UTT18P10L-TA3-T UTT18P10L-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT18P10 Power MOSFET 100V, 18A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT18P10 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)

 6.1. Size:275K  utc
 utt18p10.pdf

UTT18P10L-TA3-T UTT18P10L-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT18P10 Power MOSFET 100V, 18A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT18P10 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)

 8.1. Size:199K  utc
 utt18p06.pdf

UTT18P10L-TA3-T UTT18P10L-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT18P06 Power MOSFET 18.3A, 60V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT18P06 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WMQ098N03LG2

 

 
Back to Top