UTT24N06L-TN3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UTT24N06L-TN3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
trⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
UTT24N06L-TN3-R Datasheet (PDF)
utt24n06l-tm3-t utt24n06g-tm3-t utt24n06l-tn3-r utt24n06g-tn3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT24N06 Power MOSFET 24A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT24N06 is an N-Channel enhancement mode MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and low gate charge, etc. The UTC UTT24N06 is suitable for switching application in Industry and converter ap
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: UT7317
History: UT7317



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement