UTT6NP10L-TN4-R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UTT6NP10L-TN4-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO252-4
Аналог (замена) для UTT6NP10L-TN4-R
UTT6NP10L-TN4-R Datasheet (PDF)
utt6np10l-tn4-r utt6np10g-tn4-r utt6np10l-s08-r utt6np10g-s08-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT6NP10 Power MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) DESCRIPTION 1 SOP-8 The UTC UTT6NP10 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET it uses UTC s advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting. The UTC UTT6NP10 is univers
utt6n10.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT6N10 Power MOSFET 100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT6N10 is an N-channel enhancement mode Power FET, it uses UTC s advanced technology to provide customers a 1 minimum on-state resistance, high switching speed and ultra low SOT-223 gate charge. The UTC UTT6N10 is usually used in DC-DC Conversion. FEATURES
utt6n10z.pdf
SMD Type MOSFET Transistors N-Channel Power MOSFET UTT6N10Z Features Unit mm SOT-223 6.50 0.2 RDS(on) = 80m @VGS = 10V,ID=6A 3.00 0.1 High Switching Speed Low Crss (Typically 3.1pF) 4 Low Gate Charge (Typically 4.3nC) 1 2 3 2.Drain 0.250 2.30 (typ) 0.84 (max) Gauge Plane 0.66 (min) 1.Gate 1.Gate 2.Drain 3.Source 4.60 (typ) 4.Drain 3.Sou
Другие MOSFET... UTT30P06L-TQ2-T , UTT30P06G-TQ2-T , UTT30P06L-TQ2-R , UTT30P06G-TQ2-R , UTT30P06L-TN3-R , UTT30P06G-TN3-R , UTT4850L-S08-R , UTT4850G-S08-R , IRF1010E , UTT6NP10G-TN4-R , UTT6NP10L-S08-R , UTT6NP10G-S08-R , 2P302A , 2P308A9 , 2P308B9 , 2P308G9 , 2P308D9 .
History: WMT04P10TS
History: WMT04P10TS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856




