Справочник MOSFET. 2P829D

 

2P829D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829D
   Маркировка: 2П829Д
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: КТ-43А
 

 Аналог (замена) для 2P829D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  russia
2p829d.pdfpdf_icon

2P829D

U = 100 2829Ic = 50 R = 0,01 . - 2 -43

 0.1. Size:167K  russia
2p829d9.pdfpdf_icon

2P829D

U = 100 28299Ic = 50 R = 0,01 -95-1

 9.1. Size:154K  russia
2p829i9.pdfpdf_icon

2P829D

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
2p829j.pdfpdf_icon

2P829D

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOD2816

 

 
Back to Top

 


 
.