Справочник MOSFET. 2P978G

 

2P978G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2P978G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: КТ-81

 Аналог (замена) для 2P978G

 

 

2P978G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  russia
2p978g.pdf

2P978G
2P978G

2978 n- , DMOS

 9.1. Size:118K  russia
2p978v.pdf

2P978G
2P978G

2978 n- , DMOS

 9.2. Size:118K  russia
2p978b.pdf

2P978G
2P978G

2978 n- , DMOS

 9.3. Size:112K  russia
2p978d.pdf

2P978G
2P978G

2978 n- , DMOS

 9.4. Size:114K  russia
2p978a.pdf

2P978G
2P978G

2978 n- , DMOS

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top