2P986V - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

2P986V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2P986V

Маркировка: 2П986В

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A

Максимальная температура канала (Tj): 125 °C

Выходная емкость (Cd): 17 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.44 Ohm

Тип корпуса: КТ-55С-1

..1. Size:1537K russia
2p986v.pdf

9.1. Size:1546K russia
2p986a.pdf

9.2. Size:1574K russia
2p986b.pdf

9.3. Size:1579K russia
2p986ec.pdf

9.4. Size:1493K russia
2p986d.pdf

9.5. Size:1514K russia
2p986g.pdf