KP767B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KP767B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для KP767B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP767B даташит

 ..1. Size:105K  russia
 kp767a kp767b kp767v.pdf pdf_icon

KP767B

N- 767 , , o o

Другие IGBT... 2P986EC, 2P998A, 2P998BC, J112G, J112RLRAG, J300, KP7178A, KP767A, IRFP260N, KP767V, KP777B, KP778B, KP778V, KP801B, KP809A, KP809A1, KP809B