KP767V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KP767V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для KP767V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP767V даташит

 ..1. Size:105K  russia
 kp767a kp767b kp767v.pdf pdf_icon

KP767V

N- 767 , , o o

Другие IGBT... 2P998A, 2P998BC, J112G, J112RLRAG, J300, KP7178A, KP767A, KP767B, AO3400, KP777B, KP778B, KP778V, KP801B, KP809A, KP809A1, KP809B, KP809B1