KP778B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KP778B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-218

Аналог (замена) для KP778B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP778B даташит

No data!

Другие IGBT... J112G, J112RLRAG, J300, KP7178A, KP767A, KP767B, KP767V, KP777B, IRF3710, KP778V, KP801B, KP809A, KP809A1, KP809B, KP809B1, KP809V, KP809V1