Справочник MOSFET. KP778B

 

KP778B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP778B
   Маркировка: КП778Б
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-218
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KP778B Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: JS65R170WM | BUK7E2R3-40E | IPLK60R360PFD7 | SI5403DC | RFD3N08LSM | MCP20N70 | HM2302BJR

 

 
Back to Top

 


 
.