KP809V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KP809V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO3
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KP809V Datasheet (PDF)
..1. Size:330K russia
kp809a kp809b kp809v kp809g kp809d kp809e kp809a1 kp809b1 kp809v1 kp809g1 kp809d1 kp809e1 kp809b1-5 kp809b2-5.pdf
kp809a kp809b kp809v kp809g kp809d kp809e kp809a1 kp809b1 kp809v1 kp809g1 kp809d1 kp809e1 kp809b1-5 kp809b2-5.pdf

Другие MOSFET... KP777B , KP778B , KP778V , KP801B , KP809A , KP809A1 , KP809B , KP809B1 , STP75NF75 , KP809V1 , KP809G , KP809G1 , KP809D , KP809D1 , KP809E , KP809E1 , KP813A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a