DN3134KW - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DN3134KW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для DN3134KW
DN3134KW Datasheet (PDF)
dn3134kw.pdf

DN3134KW DN3134KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General description N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: V : 20V DS I : 0.75A D R ( at V =4.5V) 270 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 330 mohm DS(ON) GSApplications Drivers: Relays, Solenoid, Lamps, Hammers, Displays, Memories Battery Operated
dn3135.pdf

Supertex inc.DN3135N-Channel Depletion-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description High input impedance The Supertex DN3135 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical Low input capacitanceDMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate Fast switching speedsmanufacturing process. This combination produc
Другие MOSFET... KP813A , KP813B , KP901A , KP901B , KP902A , KP903A , KP903B , KP903V , IRF9540N , QM3058M6 , QM3056M6 , SPP100N08S2L-07 , SPB100N08S2L-07 , CEF02N65D , CEP02N65D , CEB02N65D , HYG055N08NS1P .
History: SM4953 | HFP6N65U | KNH9130A | NVMFD016N06C
History: SM4953 | HFP6N65U | KNH9130A | NVMFD016N06C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor