Справочник MOSFET. HYG055N08NS1P

 

HYG055N08NS1P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HYG055N08NS1P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
   Время нарастания (tr): 89 ns
   Выходная емкость (Cd): 1540 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HYG055N08NS1P

 

 

HYG055N08NS1P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  1
hyg055n08ns1p hyg055n08ns1b.pdf

HYG055N08NS1P
HYG055N08NS1P

HYG055N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)=5.3 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N

 2.1. Size:746K  1
hyg055n08ns1c2.pdf

HYG055N08NS1P
HYG055N08NS1P

HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D DRDS(ON)=4.8 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S SPin1 PPAK5*6 8L-Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr

 9.1. Size:822K  hymexa
hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdf

HYG055N08NS1P
HYG055N08NS1P

HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan

 9.2. Size:1441K  hymexa
hyg050n13ns1b6.pdf

HYG055N08NS1P
HYG055N08NS1P

HYG050N13NS1B6N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 135V/200ARDS(ON)=3.8m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedPin7 Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Pin1TO-263-6LPin4Applications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyPin1Pin2,3,5,6,7Ordering and Marking Informat

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top