HYG055N08NS1P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HYG055N08NS1P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HYG055N08NS1P
HYG055N08NS1P Datasheet (PDF)
hyg055n08ns1p hyg055n08ns1b.pdf
HYG055N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)=5.3 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N
hyg055n08ns1c2.pdf
HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D DRDS(ON)=4.8 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S SPin1 PPAK5*6 8L-Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr
hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdf
HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan
hyg050n13ns1b6.pdf
HYG050N13NS1B6N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 135V/200ARDS(ON)=3.8m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedPin7 Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Pin1TO-263-6LPin4Applications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyPin1Pin2,3,5,6,7Ordering and Marking Informat
Другие MOSFET... DN3134KW , QM3058M6 , QM3056M6 , SPP100N08S2L-07 , SPB100N08S2L-07 , CEF02N65D , CEP02N65D , CEB02N65D , AON6380 , HYG055N08NS1B , HY1808AP , HY1808AM , HY1808AB , HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 .
History: AP3N9R5H | JMSL0315ARD | BUK455-60B
History: AP3N9R5H | JMSL0315ARD | BUK455-60B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130





