HYG055N08NS1B - описание и поиск аналогов

 

HYG055N08NS1B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG055N08NS1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HYG055N08NS1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG055N08NS1B даташит

 ..1. Size:901K  1
hyg055n08ns1p hyg055n08ns1b.pdfpdf_icon

HYG055N08NS1B

HYG055N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)=5.3 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Lead-Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N

 2.1. Size:746K  1
hyg055n08ns1c2.pdfpdf_icon

HYG055N08NS1B

HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D D RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6 8L - Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr

 9.1. Size:822K  hymexa
hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdfpdf_icon

HYG055N08NS1B

HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Lead-Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan

 9.2. Size:1441K  hymexa
hyg050n13ns1b6.pdfpdf_icon

HYG055N08NS1B

HYG050N13NS1B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 135V/200A RDS(ON)=3.8m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply Pin1 Pin2,3,5,6,7 Ordering and Marking Informat

Другие MOSFET... QM3058M6 , QM3056M6 , SPP100N08S2L-07 , SPB100N08S2L-07 , CEF02N65D , CEP02N65D , CEB02N65D , HYG055N08NS1P , IRF530 , HY1808AP , HY1808AM , HY1808AB , HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.