Справочник MOSFET. HYG055N08NS1B

 

HYG055N08NS1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG055N08NS1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 89 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG055N08NS1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  1
hyg055n08ns1p hyg055n08ns1b.pdfpdf_icon

HYG055N08NS1B

HYG055N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)=5.3 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N

 2.1. Size:746K  1
hyg055n08ns1c2.pdfpdf_icon

HYG055N08NS1B

HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D DRDS(ON)=4.8 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S SPin1 PPAK5*6 8L-Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr

 9.1. Size:822K  hymexa
hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdfpdf_icon

HYG055N08NS1B

HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan

 9.2. Size:1441K  hymexa
hyg050n13ns1b6.pdfpdf_icon

HYG055N08NS1B

HYG050N13NS1B6N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 135V/200ARDS(ON)=3.8m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedPin7 Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Pin1TO-263-6LPin4Applications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyPin1Pin2,3,5,6,7Ordering and Marking Informat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFSL11N50A | SIHG47N60S | GWM180-004X2-SL | 9N95 | AP3310GJ-HF | APT1201R4BFLL | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.