HYG055N08NS1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HYG055N08NS1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
trⓘ - Время нарастания: 89 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для HYG055N08NS1B
HYG055N08NS1B Datasheet (PDF)
hyg055n08ns1p hyg055n08ns1b.pdf
HYG055N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)=5.3 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N
hyg055n08ns1c2.pdf
HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D DRDS(ON)=4.8 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S SPin1 PPAK5*6 8L-Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr
hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdf
HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan
hyg050n13ns1b6.pdf
HYG050N13NS1B6N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 135V/200ARDS(ON)=3.8m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedPin7 Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Pin1TO-263-6LPin4Applications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyPin1Pin2,3,5,6,7Ordering and Marking Informat
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918