Справочник MOSFET. HY1808APS

 

HY1808APS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY1808APS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 446 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PS

 Аналог (замена) для HY1808APS

 

 

HY1808APS Datasheet (PDF)

 6.1. Size:6123K  1
 hy1808ap hy1808m hy1808b hy1808ps hy1808pm.pdf

HY1808APS HY1808APS

HY1808AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptioneaturesF 80V/84ARDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS=10VSAvalanche Rated DSD GGReliable and Rugged SDGLead Free and Green Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGSDGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MD Power Management for Inverter Systems.G N-Channe

 9.1. Size:1648K  1
 hy1803c2.pdf

HY1808APS HY1808APS

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

 9.2. Size:911K  hymexa
 hy1804p hy1804b.pdf

HY1808APS HY1808APS

HY1804P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 40V/110ARDS(ON)= 3.6m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 4.4m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedSGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MO

 9.3. Size:1499K  hymexa
 hy1804d hy1804v.pdf

HY1808APS HY1808APS

HY1804D/UN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 40V/80A,RDS(ON)=4.0 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=4.6 m(typ.) @ VGS=4.5 VSSD SD S Avalanche RatedG D G DG G Reliable and RuggedSSD DG Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Switching Application Pow

 9.4. Size:1648K  hymexa
 hy1803c2.pdf

HY1808APS HY1808APS

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top